2SC5964-TD-H Bipolartransistoren – BJT BIP NPN 3A 50V
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | SOT-89-3 |
Transistorpolaritéit: | NPN |
Konfiguratioun: | Eenzel |
Kollektor-Emitter Spannung VCEO Max: | 50 Volt |
Kollektor-Basisspannung VCBO: | 100 Volt |
Emitter- Basisspannung VEBO: | 6 Volt |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: | 100 mV |
Maximalen DC-Kollektivstroum: | 3A |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 3,5 W |
Gewënnbandbreetprodukt fT: | 380 MHz |
Minimal Betribstemperatur: | - |
Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
Serie: | 2SC5964 |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | onsemi |
Kontinuéierleche Kollektorstroum: | 3A |
Gläichstroumkollektor/Basisgewënn hfe Min: | 200 |
Produkttyp: | BJTs - Bipolare Transistoren |
Fabréckspack Quantitéit: | 1000 |
Ënnerkategorie: | Transistoren |
Technologie: | Si |
Eenheetsgewiicht: | 0,004603 Unzen |
• Adoptioun vum MBIT-Prozess
• Niddreg Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Halogenfräi Konformitéit
• Grouss Stroumkapazitéit
• Schnellschaltung
•Gläichstroum/Gläichstroum-Wandler, Relaisantrieb, Lampenantrieb, Motorantrieb, Blitz