BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A

Kuerz Beschreiwung:

Hiersteller: Infineon Technologies

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Informatiounsblat: BSC030N08NS5ATMA1

Beschreiwung: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

RoHS Status: RoHS kompatibel


Produit Detailer

Eegeschaften

Produit Tags

♠ Produktbeschreiwung

Produit Attributer Attribut Wäert
Hersteller: Infineon
Produit Kategorie: MOSFET
RoHS: Detailer
Technologie: Si
Montage Stil: SMD/SMT
Package / Fall: TDSON-8
Transistor Polaritéit: N-Kanal
Zuel vun Channels: 1 Kanal
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: 80 v
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Rds On - Drain-Source Resistenz: 4,5 mOhm
Vgs - Gate-Source Volt: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: 2,2 V
Qg - Gate Charge: 61 nc
Minimum Operatioun Temperatur: -55 C
Maximal Operatioun Temperatur: +150 C
Pd - Power Dissipation: 139 W
Kanal Modus: Erhéijung
Handelsnumm: OptiMOS
Verpakung: Reel
Verpakung: Tape schneiden
Verpakung: MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Konfiguratioun: Single
Hierscht Zäit: 13 ns
Forward Transconductance - Min: 55 S
Héicht: 1,27 mm
Längt: 5,9 mm
Produit Typ: MOSFET
Rise Time: 12 ns
Serie: OptiMOS 5
Factory Pack Quantitéit: 5000
Ënnerkategorie: MOSFETs
Transistor Typ: 1 N-Kanal
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: 43 ns
Typesch Turn-On Verzögerungszäit: 20 ns
Breet: 5,15 mm
Deel # Aliasen: BSC030N08NS5 SP001077098
Eenheet Gewiicht: 0,017870 oz

 


  • virdrun:
  • Nächste:

  • •Optimiséiert fir héich Leeschtung SMPS, egsync.rec.

    • 100% Lawinen getest

    •Superior thermesch Resistenz

    •N-Kanal

    •Qualifizéiert laut JEDEC1) fir Zil Uwendungen

    •Pb-gratis Bläi Plating; RoHS konform

    •Halogenfräi laut IEC61249-2-21

    Zesummenhang Produkter