BUK9K35-60E, 115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | Nexperia |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | LFPAK-56D-8 |
Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
Zuel vun de Kanäl: | 2 Kanäl |
Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 22 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 32 mOhm |
Vgs - Gate-Source Spannung: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1,4 V |
Qg - Gate Charge: | 7,8 nC |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 38 Watt |
Kanalmodus: | Verbesserung |
Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | Nexperia |
Konfiguratioun: | Duebel |
Hierschtzäit: | 10,6 ns |
Produkttyp: | MOSFET |
Opstiegszäit: | 11,3 ns |
Fabréckspack Quantitéit: | 1500 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 2 N-Kanal |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 14,9 ns |
Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 7,1 ns |
Deel # Aliasen: | 934066977115 |
Eenheetsgewiicht: | 0,003958 Unzen |
♠ BUK9K35-60E Duebel-N-Kanal 60 V, 35 mΩ Logikniveau MOSFET
Dual-Logic-Level N-Channel MOSFET an engem LFPAK56D (Dual Power-SO8) Gehäuse mat TrenchMOS Technologie. Dëst Produkt gouf no dem AEC Q101 Standard fir den Asaz an héichperformante Automobilanwendungen entwéckelt a qualifizéiert.
• Duebel MOSFET
• Q101-konform
• Widderhuelend Lawin bewäert
• Gëeegent fir thermesch usprochsvoll Ëmfeld wéinst der Temperatur vun 175 °C
• True-Logic-Level-Gate mat enger VGS(th)-Bewäertung vu méi wéi 0,5 V bei 175 °C
• 12 V Automobilsystemer
• Motoren, Luuchten a Magnetsteierung
• Transmissiounskontroll
• Ultra héich performant Energieschaltung