CSD18563Q5A MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | Texas Instrumenter |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | VSONP-8 |
| Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 6,8 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 1,7 V |
| Qg - Gate Charge: | 15 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 116 W |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Handelsnumm: | NexFET |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | Texas Instrumenter |
| Konfiguratioun: | Single |
| Hierscht Zäit: | 1,7 ns |
| Héicht: | 1 mm |
| Längt: | 5,75 mm |
| Produit: | Power MOSFETs |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Rise Time: | 6 ,3ns |
| Serie: | Spezifikatioune vun CSD18563Q5A |
| Factory Pack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 1 N-Kanal Power MOSFET |
| Typ: | 60 V N-Kanal NexFET Power MOSFETs |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 11,4 ns |
| Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 3,2 ns |
| Breet: | 4,9 mm |
| Eenheet Gewiicht: | 0.003034 oz |
♠ CSD18563Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Dëse 5.7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET ™ Kraaft MOSFET gouf entwéckelt fir mat der CSD18537NQ5A Kontroll FET ze koppelen an als Synchroniséierungs-FET fir eng komplett industriell Buck Konverter Chipset Léisung ze handelen.
• Ultra-Low Qg an Qgd
• Soft Kierper Diode fir Reduzéiert Ringing
• Niddereg thermesch Resistenz
• Avalanche Bewäert
• Logik Niveau
• Pb-Free Terminal Plating
• RoHS konform
• Halogen Fräi
• SON 5 mm × 6 mm Plastik Package
• Low-Side FET fir industriell Buck Converter
• Secondary Side Synchronous Rectifier
• Motor Kontroll
