CSD18563Q5A MOSFET 60V N-Kanal NexFET Power MOSFET
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | Texas Instruments |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | VSONP-8 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 6,8 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1,7 V |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 116 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | NexFET |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | Texas Instruments |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 1,7 ns |
| Héicht: | 1 mm |
| Längt: | 5,75 mm |
| Produkt: | Power MOSFETs |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 6,3 ns |
| Serie: | CSD18563Q5A |
| Fabréckspack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal Power MOSFET |
| Typ: | 60 V N-Kanal NexFET Power MOSFETs |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 11,4 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 3,2 ns |
| Breet: | 4,9 mm |
| Eenheetsgewiicht: | 0,003034 Unzen |
♠ CSD18563Q5A 60 V N-Kanal NexFET™ Power MOSFET
Dëse 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™ Power MOSFET gouf entwéckelt fir mam CSD18537NQ5A Kontroll-FET ze koppelen an als Synchroniséierungs-FET fir eng komplett industriell Buck-Konverter-Chipsatz-Léisung ze déngen.
• Ultra-niddreg Qg a Qgd
• Soft Body Diode fir reduzéiert Klingelen
• Niddreg thermesch Resistenz
• Lawinenbewäertung
• Logikniveau
• Bläi-fräi Terminalbeschichtung
• RoHS-konform
• Halogenfräi
• SON 5 mm × 6 mm Plastikverpackung
• Niddregsäitegen FET fir industrielle Buck-Konverter
• Synchrone Gleichrichter op der sekundärer Säit
• Motorsteierung
