FDD4N60NZ MOSFET 2,5A Ausgangsstroum GateDrive Optocopler
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | DPAK-3 |
Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 600 V |
Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 1,7 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 1,9 Ohm |
Vgs - Gate-Source Spannung: | - 25 V, + 25 V |
Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 5 V |
Qg - Gate Charge: | 8,3 nC |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 114 W |
Kanalmodus: | Verbesserung |
Handelsnumm: | UniFET |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | onsemi / Fairchild |
Konfiguratioun: | Eenzel |
Hierschtzäit: | 12,8 ns |
Virwärtstranskonduktanz - Min: | 3,4 S |
Héicht: | 2,39 mm |
Längt: | 6,73 mm |
Produkt: | MOSFET |
Produkttyp: | MOSFET |
Opstiegszäit: | 15,1 ns |
Serie: | FDD4N60NZ |
Fabréckspack Quantitéit: | 2500 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 1 N-Kanal |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 30,2 ns |
Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 12,7 ns |
Breet: | 6,22 mm |
Eenheetsgewiicht: | 0,011640 Unzen |