FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Kanal Power Trench
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | Kraaft-33-8 |
| Transistorpolaritéit: | P-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 30 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 10 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1,8 V |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 41 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | PowerTrench |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 46 S |
| Héicht: | 0,8 mm |
| Längt: | 3,3 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | FDMC6679AZ |
| Fabréckspack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Breet: | 3,3 mm |
| Eenheetsgewiicht: | 0,005832 Unzen |
♠ FDMC6679AZ P-Kanal PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
Den FDMC6679AZ gouf entwéckelt fir Verloschter a Lastschalterapplikatiounen ze minimiséieren. Fortschrëtter souwuel an der Silizium- wéi och an der Package-Technologie goufen kombinéiert fir de niddregsten rDS(on)- an ESD-Schutz ze bidden.
• Max rDS(on) = 10 mΩ bei VGS = -10 V, ID = -11,5 A
• Max rDS(un) = 18 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A
• HBM ESD-Schutzniveau vun typescherweis 8 kV (Notiz 3)
• Erweiderten VGSS-Beräich (-25 V) fir Batterieanwendungen
• Héichleistungs-Trench-Technologie fir extrem niddreg rDS(on)
• Héich Leeschtungs- a Stroumveraarbechtungsfäegkeet
• D'Terminatioun ass bleifräi a RoHS-konform
• Schalter am Notebook a Server lueden
• Notebook Batterie Power Management
