FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Kanal Power Trench
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | onsem |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | Muecht-33-8 |
| Transistor Polaritéit: | P-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 10 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 1,8 V |
| Qg - Gate Charge: | 37 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 41 W |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Handelsnumm: | PowerTrench |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguratioun: | Single |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Héicht: | 0,8 mm |
| Längt: | 3,3 mm |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Serie: | FDMC6679AZ |
| Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 1 P-Kanal |
| Breet: | 3,3 mm |
| Eenheet Gewiicht: | 0.005832 oz |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
De FDMC6679AZ ass entwéckelt fir Verloschter bei Lastschalter Uwendungen ze minimiséieren.Fortschrëtter a béid Silizium a Package Technologien goufen kombinéiert fir den niddregsten rDS (on) an ESD Schutz ze bidden.
• Max rDS(an) = 10 mΩ bei VGS = -10 V, ID = -11,5 A
• Max rDS(an) = 18 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A
• HBM ESD Schutzniveau vun 8 kV typesch (Note 3)
• Verlängert VGSS Gamme (-25 V) fir Batterie Uwendungen
• High-Performance Trench-Technologie fir extrem niddereg rDS(on)
• Héich Muecht an aktuell Ëmgank Fähegkeet
• Terminatioun ass Lead-gratis a RoHS konform
• Luet Schalter an Notizblock an Server
• Notizblock Batterie Pack Power Management
