LM74800QDRRRQ1 3-V bis 65-V, ideal fir den Automobilsektor, deen NFETs hannereneen unzeschalten 12-WSON -40 bis 125
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | Texas Instruments |
Produktkategorie: | Spezialiséiert Energieverwaltung - PMIC |
Serie: | LM7480-Q1 |
Typ: | Automobilindustrie |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | WSON-12 |
Ausgangsstroum: | 2A, 4A |
Input Spannungsberäich: | 3 V bis 65 V |
Ausgangsspannungsberäich: | 12,5 V bis 14,5 V |
Minimal Betribstemperatur: | - 40°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 125°C |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | Texas Instruments |
Inputspannung, Max: | 65 Volt |
Inputspannung, Min: | 3 V |
Maximal Ausgangsspannung: | 14,5 V |
Fiichtegkeetsempfindlech: | Jo |
Betribsspannung: | 6 V bis 37 V |
Produkttyp: | Spezialiséiert Energieverwaltung - PMIC |
Fabréckspack Quantitéit: | 3000 |
Ënnerkategorie: | PMIC - Energieverwaltungs-ICs |
♠ LM7480-Q1 Ideal Diodenregler mat Last-Dump-Schutz
Den LM7480x-Q1 Idealdiodencontroller steiert a kontrolléiert extern Back-to-Back N-Kanal MOSFETs, fir en idealen Diodengläichrichter mat ON/OFF-Steierung vum Stroumwee an Iwwerspannungsschutz ze emuléieren. Déi breet Inputversuergung vun 3 V bis 65 V erméiglecht de Schutz a Kontroll vun 12-V an 24-V Batterie-betriwwenen ECUs fir Autoen. Den Apparat kann negativen Versuergungsspannungen bis -65 V standhalen a schützen. En integréierten Idealdiodencontroller (DGATE) steiert den éischte MOSFET un, fir eng Schottky-Diod fir Réckwärts-Input-Schutz an Ausgangsspannungsverschluss z'ersetzen. Mat engem zweete MOSFET am Stroumwee erlaabt den Apparat eng Lastentrennung (ON/OFF-Steierung) an en Iwwerspannungsschutz mat Hëllef vun der HGATE-Steierung. Den Apparat huet eng justierbar Iwwerspannungsabschaltungsfunktioun. Den LM7480-Q1 huet zwou Varianten, LM74800-Q1 an LM74801-Q1. Den LM74800-Q1 benotzt Réckstroumblockéierung mat linearer Reguléierung a Komparatorschema am Géigesaz zum LM74801-Q1, deen e Komparatorbaséiert Schema ënnerstëtzt. Mat der Common Drain-Konfiguratioun vun den Power-MOSFETs kann de Mëttelpunkt fir OR-Designs mat enger anerer idealer Diod benotzt ginn. Den LM7480x-Q1 huet eng maximal Spannungsbewäertung vu 65 V. D'Laaschten kënne virun verlängerten Iwwerspannungstransienten wéi 200-V Unsuppressed Load Dumps a 24-V Batteriesystemer geschützt ginn, andeems den Apparat mat externen MOSFETs an der Common Source Topologie konfiguréiert gëtt.
• AEC-Q100 qualifizéiert fir Automobilanwendungen
– Apparattemperaturgrad 1:
Ëmgéigungstemperaturberäich vun –40°C bis +125°C
– Apparat HBM ESD Klassifikatioun Niveau 2
– Apparat CDM ESD Klassifikatiounsniveau C4B
• Inputberäich vun 3 V bis 65 V
• Réckwärtsschutz bis –65 V
• Undrifft extern Back-to-Back N-Kanal MOSFETs a Common Drain- a Common Source-Konfiguratiounen
• Idealen Diodenbetrieb mat 10,5-mV A op C Virwärtsspannungsfallreguléierung (LM74800-Q1)
• Niddreg Réckwärtsdetektiounsschwell (–4,5 mV) mat schneller Reaktioun (0,5 µs)
• 20-mA Peak Gate (DGATE) Schaltstroum
• 2,6 A Spëtzen-DGATE-Ausschaltstroum
• Verstellbare Iwwerspannungsschutz
• Niddreg 2,87-µA Ofschaltstroum (EN/UVLO=Niddereg)
• Erfëllt d'ISO7637 Transientenufuerderunge vun der Automobilindustrie mat enger passender TVS-Diod
• Verfügbar am platzsparenden 12-Pin WSON-Package
• Schutz vun der Autobatterie
– ADAS-Domäncontroller
– Kamera-ECU
– Kappunitéit
– USB-HUBs
• Aktiv ORing fir redundant Energieversuergung