MBT3904DW1T1G Bipolartransistoren – BJT 200mA 60V Duebel NPN
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
| RoHS: | Detailer |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | SC-70-6 |
| Transistorpolaritéit: | NPN |
| Konfiguratioun: | Duebel |
| Kollektor-Emitter Spannung VCEO Max: | 40 Volt |
| Kollektor-Basisspannung VCBO: | 60 Volt |
| Emitter- Basisspannung VEBO: | 6 Volt |
| Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: | 300 mV |
| Maximalen DC-Kollektivstroum: | 200 mA |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 150 mW |
| Gewënnbandbreetprodukt fT: | 300 MHz |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Serie: | MBT3904DW1 |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | onsemi |
| Kontinuéierleche Kollektorstroum: | - 2A |
| Gläichstroumkollektor/Basisgewënn hfe Min: | 40 |
| Héicht: | 0,9 mm |
| Längt: | 2 mm |
| Produkttyp: | BJTs - Bipolare Transistoren |
| Fabréckspack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Breet: | 1,25 mm |
| Deel # Aliasen: | MBT3904DW1T3G |
| Eenheetsgewiicht: | 0,000988 Unzen |
• hFE, 100−300 • Niddreg VCE(SAT), ≤ 0,4 V
• Vereinfacht den Design vum Schaltkrees
• Reduzéiert de Platz um Board
• Reduzéiert d'Zuel vun de Komponenten
• Verfügbar als 8 mm, 7-Zoll/3.000-Eenheetsband a Roll
• S- an NSV-Präfix fir Automobil- an aner Uwendungen, déi eenzegaarteg Ufuerderunge fir d'Ännerung vum Standuert an d'Kontroll erfuerderen; AEC−Q101 qualifizéiert a PPAP-fäeg
• Dës Apparater si fräi vu Pb−, Halogenfräi/BFR−fräi a si RoHS-konform
