MBT3904DW1T1G Bipolare Transistoren - BJT 200mA 60V Dual NPN
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | onsem |
| Produit Kategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
| RoHS: | Detailer |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SC-70-6 |
| Transistor Polaritéit: | NPN |
| Konfiguratioun: | Dual |
| Collector-Emitter Volt VCEO Max: | 40 V |
| Collector- Base Volt VCBO: | 60 V |
| Emitter-Basis Volt VEBO: | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Volt: | 300 mV |
| Maximum DC Collector Stroum: | 200 mA |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Gewënn Bandbreedung Produkt fT: | 300 MHz |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Serie: | MBT3904DW1 |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | onsem |
| Kontinuéierlech Sammelstroum: | -2 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
| Héicht: | 0,9 mm |
| Längt: | 2 mm |
| Produit Typ: | BJTs - Bipolare Transistoren |
| Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Breet: | 1,25 mm |
| Deel # Aliasen: | MBT3904DW1T3G Fotoen |
| Eenheet Gewiicht: | 0.000988 oz |
• hFE, 100−300 • Niddereg VCE(sat), ≤ 0,4 V
• Vereinfacht Circuit Design
• Reduzéiert Verwaltungsrot Space
• Reduzéiert Komponent Grof
• Verfügbar an 8 mm, 7-Zoll / 3.000 Eenheetsband a Reel
• S an NSV Präfix fir Automotive an aner Applikatiounen erfuerdert eenzegaarteg Site a Kontroll Change Requirements;AEC-Q101 Qualifizéiert a PPAP Kapabel
• Dës Geräter sinn Pb−Free, Halogen Free/BFR Free a si RoHS-konform
