NCV8402ADDR2G MOSFET 42V2A
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | onsem |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SOIC-8 |
| Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 2 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 165 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 14 V, + 14 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 1,3 V |
| Qg - Gate Charge: | - |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | onsem |
| Konfiguratioun: | Single |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Serie: | NCV8402AD Ubidder |
| Factory Pack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 2 N-Kanal |
| Eenheet Gewiicht: | 0.002610 oz |
♠ Dual Self-Protected Low-Side Driver mat Temperatur a Stroumlimit
NCV8402D/AD ass en duebel geschützt Low-Side Smart Diskret Apparat.D'Schutzfeatures enthalen Iwwerstroum, Iwwertemperatur, ESD an integréiert Drain-to-Gate Spannung fir Iwwerspannungsschutz.Dësen Apparat bitt Schutz an ass gëeegent fir haart automobile Ëmfeld.
• Short-Circuit Protection
• Thermal Shutdown mat automateschen Restart
• Overvoltage Protection
• Integréiert Clamp fir Induktiv Schalter
• ESD Schutz
• dV / dt Robustheet
• Analog Drive Capability (Logic Level Input)
• NCV Präfix fir Automotive an aner Applikatiounen erfuerdert eenzegaarteg Site a Kontroll Change Requirements;AEC-Q101 Qualifizéiert a PPAP Kapabel
• Dës Geräter sinn Pb−Free, Halogen Free/BFR Free a si RoHS-konform
• Schalt eng Varietéit vu resistive, induktiven a kapazitiven Lasten
• Kann ersetzen elektromechanesch Relais an diskret Circuiten
• Automotive / Industriell
