NCV8402ADDR2G MOSFET 42V2A
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | SOIC-8 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 2 Kanäl |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 55 V |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 2A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 165 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 14 V, + 14 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1,3 V |
| Qg - Gate Charge: | - |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 800 mW |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | onsemi |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | NCV8402AD |
| Fabréckspack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 2 N-Kanal |
| Eenheetsgewiicht: | 0,002610 Unzen |
♠Duebele selbstgeschützte Low-Side Treiber mat Temperatur- a Stroumlimit
Den NCV8402D/AD ass en duebel geschützten Low-Side Smart Discrete-Gerät. Zu de Schutzfeatures gehéieren Iwwerstroum, Iwwertemperatur, ESD an integréiert Drain-to-Gate-Klemmung fir Iwwerspannungsschutz. Dësen Apparat bitt Schutz a ass gëeegent fir haart Automobilumfeld.
• Kuerzschlussschutz
• Thermesch Ausschaltung mat automateschem Restart
• Iwwerspannungsschutz
• Integréiert Klemm fir induktiv Schaltung
• ESD-Schutz
• dV/dt Robustheet
• Analog Undriffskapazitéit (Logikniveau-Input)
• NCV-Präfix fir Automobil- an aner Uwendungen, déi eenzegaarteg Ufuerderunge fir d'Ännerung vum Standuert an d'Kontroll erfuerderen; AEC−Q101 qualifizéiert a PPAP-fäeg
• Dës Apparater si fräi vu Pb−, Halogenfräi/BFR−fräi a si RoHS-konform
• Schalt eng Vielfalt vu resistive, induktiven a kapazitive Lasten
• Kann elektromechanesch Relais an diskret Schaltungen ersetzen
• Automobil / Industrie
