NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Erweiderung Modus
♠ Produktbeschreiwung
Produit Attributer | Attribut Wäert |
Hersteller: | onsem |
Produit Kategorie: | MOSFET |
Technologie: | Si |
Montage Stil: | SMD/SMT |
Package / Fall: | SOT-23-3 |
Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 20 V |
Id - Continuous Drain Current: | 1,3 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 210 mOhm |
Vgs - Gate-Source Volt: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 500 mV |
Qg - Gate Charge: | 5 nc |
Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Kanal Modus: | Erhéijung |
Verpakung: | Reel |
Verpakung: | Tape schneiden |
Verpakung: | MouseReel |
Marke: | onsemi / Fairchild |
Konfiguratioun: | Single |
Hierscht Zäit: | 25 ns |
Héicht: | 1,12 mm |
Längt: | 2,9 mm |
Produit: | MOSFET Kleng Signal |
Produit Typ: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns |
Serie: | NDS331N Ubidder |
Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistor Typ: | 1 N-Kanal |
Typ: | MOSFET |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 10 ns |
Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 5 ns vun |
Breet: | 1,4 mm |
Deel # Aliasen: | NDS331N_NL |
Eenheet Gewiicht: | 0,001129 oz |
♠ N-Kanal Logik Niveau Verbesserung Modus Feld Effekt Transistor
Dës N-Kanal Logik Niveau Erweiderung Modus Kraaftfeldeffekt Transistoren ginn produzéiert mat ON Semiconductor's propriétaire, héich Zelldicht, DMOS Technologie.Dëse ganz héijer Dichtprozess ass speziell ugepasst fir On-State Resistenz ze minimiséieren.Dës Apparater si besonnesch gëeegent fir niddereg Volt Uwendungen an Notizblock Computeren, portable Handyen, PCMCIA Kaarten, an aner Batterie ugedriwwen Circuits wou séier Schaltung, an niddereg In-Line Muecht Verloscht an engem ganz klenge Kontur Uewerfläch Mount Package néideg sinn.
• 1,3 A, 20 V
♦ RDS(an) = 0,21 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(an) = 0,16 @ VGS = 4,5 V
• Industrie Standard Outline SOT-23 Surface Mount Package Benotzt
Proprietär SUPERSOT-3 Design fir Superior thermesch an elektresch Fäegkeeten
• Héich Dicht Zell Design fir extrem niddereg RDS (an)
• Aussergewéinlech On-Resistenz a Maximal DC Stroumkapazitéit
• Dëst ass e Pb-gratis Apparat