Eng nei Zort Hafnium-baséiert ferroelektresche Memory Chip entwéckelt an entworf vum Liu Ming, Akademiker vum Institut fir Mikroelektronik, gouf op der IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) am Joer 2023 presentéiert, den héchsten Niveau vum integréierte Circuit Design.
High-Performance embedded non-volatile memory (eNVM) ass an héich Nofro fir SOC Chips an Konsumentelektronik, autonom Gefierer, industriell Kontroll a Randgeräter fir den Internet of Things.Ferroelektrescht Gedächtnis (FeRAM) huet d'Virdeeler vun héijer Zouverlässegkeet, ultra-niddere Stroumverbrauch an héijer Geschwindegkeet.Et gëtt wäit benotzt a grousse Quantitéiten un Datenopnam an Echtzäit, dacks Datenliesen a Schreiwen, nidderegen Energieverbrauch an embedded SoC / SiP Produkter.Ferroelektrescht Gedächtnis baséiert op PZT Material huet Masseproduktioun erreecht, awer säi Material ass inkompatibel mat CMOS Technologie a schwéier ze schrumpfen, wat zu der Entwécklungsprozess vun traditioneller ferroelektrescher Erënnerung eescht behënnert ass, an embedded Integratioun brauch eng separat Produktiounslinn Ënnerstëtzung, schwéier ze populariséieren op enger grousser Skala.D'Miniaturabilitéit vum neien Hafnium-baséiert ferroelektresche Gedächtnis a seng Kompatibilitéit mat CMOS Technologie maachen et zu engem Fuerschungshotspot vu gemeinsame Suergen an der Akademie an der Industrie.Hafnium-baséiert ferroelektrescht Gedächtnis gouf als eng wichteg Entwécklungsrichtung vun der nächster Generatioun vun neier Erënnerung ugesinn.Am Moment huet d'Fuerschung vum Hafnium-baséiert ferroelektresche Gedächtnis nach ëmmer Probleemer wéi net genuch Eenheet Zouverlässegkeet, Mangel u Chipdesign mat komplette Peripheriekrees a weider Verifizéierung vun der Leeschtung vum Chipniveau, wat seng Uwendung am eNVM limitéiert.
Ziel op d'Erausfuerderunge vum embedded Hafnium-baséiert ferroelektresche Gedächtnis, huet d'Team vum Akademiker Liu Ming vum Institut fir Mikroelektronik den Megab-Magnitude FeRAM Testchip fir d'éischte Kéier op der Welt entwéckelt an implementéiert baséiert op der grousser Integratiounsplattform vun Hafnium-baséiert ferroelektresch Erënnerung kompatibel mat CMOS, an erfollegräich ofgeschloss déi grouss-Skala Integratioun vun HZO ferroelectric capacitor am 130nm CMOS Prozess.En ECC-assistéierte Schreifdreiwkrees fir Temperatursensing an e sensiblen Verstärkerkreeslaf fir automatesch Offset-Eliminatioun ginn proposéiert, an 1012 Zyklushaltbarkeet an 7ns Schreif- an 5ns Lieszäit ginn erreecht, wat déi bescht Niveauen bis elo gemellt sinn.
De Pabeier "A 9-Mb HZO-baséiert Embedded FeRAM mat 1012-Zyklus Ausdauer a 5/7ns Liesen / Schreiwen mat ECC-Assisted Data Refresh" baséiert op de Resultater an Offset-Canceled Sense Amplifier "war am ISSCC 2023 ausgewielt, an den Chip gouf an der ISSCC Demo Sessioun ausgewielt fir an der Konferenz ze weisen.De Yang Jianguo ass den éischten Auteur vum Pabeier, an de Liu Ming ass den entspriechende Auteur.
Déi verbonne Aarbecht gëtt ënnerstëtzt vun der National Natural Science Foundation vu China, dem National Key Research and Development Programm vum Ministère fir Wëssenschaft an Technologie, an dem B-Class Pilotprojet vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften.
(Foto vum 9Mb Hafnium-baséierte FeRAM Chip an Chip Performance Test)
Post Zäit: Apr-15-2023