NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | SO-8FL-4 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 30 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 52 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 4,73 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 2,2 V |
| Qg - Gate Charge: | 22,2 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 6 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | onsemi |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | NTMFS4C028N |
| Fabréckspack Quantitéit: | 1500 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Eenheetsgewiicht: | 0,026455 Unzen |
• Niddreg RDS(on) fir Konduktiounsverloschter ze minimiséieren
• Niddreg Kapazitéit fir Treiberverloschter ze minimiséieren
• Optiméiert Gate Charge fir Schaltverloschter ze minimiséieren
• Dës Apparater si fräi vu Pb−, Halogenfräi/BFR−fräi a si RoHS-konform
• CPU-Energieversuergung
• Gläichstroum-Gläichstroum-Konverter
