NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Produktbeschreiwung
Produit Attributer | Attribut Wäert |
Hersteller: | onsem |
Produit Kategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montage Stil: | SMD/SMT |
Package / Fall: | SO-8FL-4 |
Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 30 V |
Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 4,73 mOhm |
Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 2,2 V |
Qg - Gate Charge: | 22,2 nC |
Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
Pd - Power Dissipation: | 6 W |
Kanal Modus: | Erhéijung |
Verpakung: | Reel |
Verpakung: | Tape schneiden |
Verpakung: | MouseReel |
Marke: | onsem |
Konfiguratioun: | Single |
Produit Typ: | MOSFET |
Serie: | NTMFS4C028N Ubidder |
Factory Pack Quantitéit: | 1500 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Eenheet Gewiicht: | 0.026455 oz |
• Niddereg RDS (an) fir d'Konduktiounsverloschter ze minimiséieren
• Niddereg Kapazitéit fir Chaufferverloschter ze minimiséieren
• Optimiséiert Gate Charge fir eng minimiséieren Wiessel Verloschter
• Dës Geräter sinn Pb−Free, Halogen Free/BFR Free a si RoHS-konform
• CPU Power Liwwerung
• DC-DC Converters