SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SC-89-6 |
| Transistor Polaritéit: | N-Kanal, P-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 2 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 1,4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 750 pC, 1,7 nC |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguratioun: | Dual |
| Forward Transconductance - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Héicht: | 0,6 mm |
| Längt: | 1,66 mm |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Serie: | SI1 |
| Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 1 N-Kanal, 1 P-Kanal |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 20 ns, 35 ns |
| Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 15 ns, 20 ns |
| Breet: | 1,2 mm |
| Deel # Aliasen: | SI1029X-GE3 |
| Eenheet Gewiicht: | 32 mg |
• Halogen-gratis No IEC 61249-2-21 Definitioun
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Ganz kleng Foussofdrock
• High-Säit Wiesselen
• Niddereg On-Resistenz:
N-Kanal, 1,40 Ω
P-Kanal, 4 Ω
• Low Threshold: ± 2 V (typ.)
• Schnell Schaltgeschwindegkeet: 15 ns (Typ.)
• Gate-Source ESD geschützt: 2000 V
• entspriechend RoHS Direktiv 2002/95/EC
• Digital Transistor ersetzen, Level-Shifter
• Batterie Betribssystemer
• Energieversuergung Converter Circuits
