SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P Paar
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak/Këscht: | SC-89-6 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal, P-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 2 Kanäl |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 500 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 1,4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 750 pC, 1,7 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 280 mW |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguratioun: | Duebel |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Héicht: | 0,6 mm |
| Längt: | 1,66 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | SI1 |
| Fabréckspack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal, 1 P-Kanal |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 20 ns, 35 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 15 ns, 20 ns |
| Breet: | 1,2 mm |
| Deel # Aliasen: | SI1029X-GE3 |
| Eenheetsgewiicht: | 32 mg |
• Halogenfräi no der Definitioun vun IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Ganz klenge Foussofdrock
• High-Side Switching
• Niddreg On-Resistenz:
N-Kanal, 1,40 Ω
P-Kanal, 4 Ω
• Niddreg Schwellwäert: ± 2 V (typ.)
• Schnell Schaltgeschwindegkeet: 15 ns (typ.)
• Gate-Source ESD geschützt: 2000 V
• Entsprécht der RoHS-Direktiv 2002/95/EG
• Digitalen Transistor, Niveau-Shifter ersetzen
• Batteriebedriwwe Systemer
• Stroumversuergungskonverterschaltkreesser
