SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V V/s 20V V/s PowerPAK SO-8
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | Vishay |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak/Këscht: | SOIC-8 |
Transistorpolaritéit: | P-Kanal |
Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 30 Volt |
Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 5,7 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 42 mOhm |
Vgs - Gate-Source Spannung: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1 V |
Qg - Gate Charge: | 24 nC |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 2,5 W |
Kanalmodus: | Verbesserung |
Handelsnumm: | TrenchFET |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | Vishay Semiconductors |
Konfiguratioun: | Eenzel |
Hierschtzäit: | 30 ns |
Virwärtstranskonduktanz - Min: | 13 S. Joer |
Produkttyp: | MOSFET |
Opstiegszäit: | 42 ns |
Serie: | SI9 |
Fabréckspack Quantitéit: | 2500 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 1 P-Kanal |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 30 ns |
Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 14 ns |
Deel # Aliasen: | SI9435BDY-E3 |
Eenheetsgewiicht: | 750 mg |
• TrenchFET® Power MOSFETs
• PowerPAK®-Package mat niddregem thermesche Widderstand a niddregem 1,07 mm ProfilEC