STD35P6LLF6 MOSFET P-Channel 60V 0.025Ohm typ 35A STripFET F6 Power MOSFET

Kuerz Beschreiwung:

Hiersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Informatiounsblat:STD35P6LLF6
Beschreiwung: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
RoHS Status: RoHS kompatibel


Produit Detailer

Eegeschaften

Uwendungen

Produit Tags

♠ Produktbeschreiwung

Produit Attributer Attribut Wäert
Hersteller: STMicroelectronics
Produit Kategorie: MOSFET
RoHS: Detailer
Technologie: Si
Montage Stil: SMD/SMT
Package / Fall: TO-252-3
Transistor Polaritéit: P-Kanal
Zuel vun Channels: 1 Kanal
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: 60 V
Id - Continuous Drain Current: 35 A
Rds On - Drain-Source Resistenz: 28 mOhm
Vgs - Gate-Source Volt: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: 1 V
Qg - Gate Charge: 30 nc
Minimum Operatioun Temperatur: -55 C
Maximal Operatioun Temperatur: +175 C
Pd - Power Dissipation: 70 wt
Kanal Modus: Erhéijung
Handelsnumm: STRIPFET
Serie: STD35P6LLF6
Verpakung: Reel
Verpakung: Tape schneiden
Verpakung: MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguratioun: Single
Hierscht Zäit: 21 ns
Produit Typ: MOSFET
Rise Time: 39 ns
Factory Pack Quantitéit: 2500
Ënnerkategorie: MOSFETs
Transistor Typ: 1 P-Kanal Power MOSFET
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: 171 ns
Typesch Turn-On Verzögerungszäit: 51,4 ns
Eenheet Gewiicht: 0,011640 oz

♠ STD35P6LLF6 P-Kanal 60 V, 0,025 Ω Typ., 35 A STripFET™ F6 Power MOSFET an engem DPAK Package

Dësen Apparat ass e P-Kanal Power MOSFET entwéckelt mat der STripFET ™ F6 Technologie, mat enger neier Trench Gate Struktur.Déi resultéierend Power MOSFET weist ganz niddereg RDS (on) an alle Packagen.


  • virdrun:
  • Nächste:

  •  Ganz niddereg Resistenz

     Ganz niddereg Gate charge

     Héich Lawin robustheet

     Niddereg Gate fueren Muecht Verloscht

     Wiesselt Uwendungen

    Zesummenhang Produkter