STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak/Këscht: | H2PAK-2 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 1,5 kV |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 2,5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 9 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 3 V |
| Qg - Gate Charge: | 29,3 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 140 Watt |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | PowerMESH |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | STMicroelectronics |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 61 ns |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 2,6 S |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 47 ns |
| Serie: | STH3N150-2 |
| Fabréckspack Quantitéit: | 1000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal Power MOSFET |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 45 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 24 ns |
| Eenheetsgewiicht: | 4 g |
♠ N-Kanal 1500 V, 2,5 A, 6 Ω typesch, PowerMESH Power MOSFETs an TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 an TO247 Gehäuse
Dës Power MOSFETs gi mat dem MESH OVERLAY-Prozess baséiert op Strip-Layout vun STMicroelectronics entwéckelt. D'Resultat ass e Produkt, dat d'Leeschtung vu vergläichbare Standarddeeler vun anere Produzenten entsprécht oder verbessert.
• 100% Lawinengetest
• Intrinsesch Kapazitéiten a Qg miniméiert
• Schaltgeschwindegkeet
• Voll isoléiert TO-3PF Plastikgehäuse, Schleichdistanz ass 5,4 mm (typesch)
• Applikatioune wiesselen
