STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6 Ohm 2.5A PowerMESH
♠ Produktbeschreiwung
Produit Attributer | Attribut Wäert |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Produit Kategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montage Stil: | SMD/SMT |
Package / Fall: | H2PAK-2 |
Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 1,5 kV |
Id - Continuous Drain Current: | 2,5 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 9 ohm |
Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 3 V |
Qg - Gate Charge: | 29,3 nc |
Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
Pd - Power Dissipation: | 140 W |
Kanal Modus: | Erhéijung |
Handelsnumm: | PowerMESH |
Verpakung: | Reel |
Verpakung: | Tape schneiden |
Verpakung: | MouseReel |
Marke: | STMicroelectronics |
Konfiguratioun: | Single |
Hierscht Zäit: | 61 ns |
Forward Transconductance - Min: | 2.6 S |
Produit Typ: | MOSFET |
Rise Time: | 47 ns |
Serie: | STH3N150-2 |
Factory Pack Quantitéit: | 1000 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistor Typ: | 1 N-Kanal Power MOSFET |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 45 ns |
Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 24 ns |
Eenheet Gewiicht: | 4g vun |
♠ N-Kanal 1500 V, 2,5 A, 6 Ω Typ., PowerMESH Power MOSFETs an TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 an TO247 Packagen
Dës Power MOSFETs sinn entwéckelt mat dem STMicroelectronics konsolidéierte Strip-Layout-baséiert MESH OVERLAY Prozess.D'Resultat ass e Produkt dat d'Performance vu vergläichbare Standarddeeler vun aneren Hiersteller entsprécht oder verbessert.
• 100% Lawin getest
• Intrinsesch capacitances an Qg miniméiert
• Héich Vitesse schalt
• Ganz isoléiert TO-3PF Plastiksverpackung, Kreepdistanzwee ass 5,4 mm (Typ.)
• Wiessel Uwendungen