SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak/Këscht: | TO-252-3 |
| Transistorpolaritéit: | P-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 15 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 3 V |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 113 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 30 ns |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 61 S |
| Héicht: | 2,38 mm |
| Längt: | 6,73 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 9 ns |
| Serie: | Süd |
| Fabréckspack Quantitéit: | 2000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 65 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 8 ns |
| Breet: | 6,22 mm |
| Deel # Aliasen: | SUD50P06-15-BE3 |
| Eenheetsgewiicht: | 330 mg |
• TrenchFET® Power MOSFET
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