SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V
♠ Produktbeschreiwung
Produit Attributer | Attribut Wäert |
Hersteller: | Vishay |
Produit Kategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montage Stil: | SMD/SMT |
Package / Fall: | TO-252-3 |
Transistor Polaritéit: | P-Kanal |
Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 100 V |
Id - Continuous Drain Current: | 37,1 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 43 mOhm |
Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 1 V |
Qg - Gate Charge: | 106 nc |
Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
Maximal Operatioun Temperatur: | +175 C |
Pd - Power Dissipation: | 136 W |
Kanal Modus: | Erhéijung |
Handelsnumm: | TrenchFET |
Verpakung: | Reel |
Verpakung: | Tape schneiden |
Verpakung: | MouseReel |
Marke: | Vishay Semiconductors |
Konfiguratioun: | Single |
Hierscht Zäit: | 100 ns |
Forward Transconductance - Min: | 38 S |
Héicht: | 2,38 mm |
Längt: | 6,73 mm |
Produit Typ: | MOSFET |
Rise Time: | 20 ns, 160 ns |
Serie: | SUD |
Factory Pack Quantitéit: | 2000 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistor Typ: | 1 P-Kanal |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 100 ns, 110 ns |
Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 15 ns, 42 ns |
Breet: | 6,22 mm |
Deel # Aliasen: | SUD50P10-43L-BE3 Ubidder |
Eenheet Gewiicht: | 0,011640 oz |
• TrenchFET® Power MOSFET
• entspriechend RoHS Direktiv 2002/95/EC