SUM55P06-19L-E3 MOSFET 60V 55A 125W
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | Vishay |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | TO-263-3 |
Transistorpolaritéit: | P-Kanal |
Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 55 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 19 mOhm |
Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1 V |
Qg - Gate Charge: | 76 nC |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 125 Watt |
Kanalmodus: | Verbesserung |
Handelsnumm: | TrenchFET |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | Vishay / Siliconix |
Konfiguratioun: | Eenzel |
Hierschtzäit: | 230 ns |
Virwärtstranskonduktanz - Min: | 20 S. Joer |
Héicht: | 4,83 mm |
Längt: | 10,67 mm |
Produkttyp: | MOSFET |
Opstiegszäit: | 15 ns |
Serie: | SUM |
Fabréckspack Quantitéit: | 800 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 1 P-Kanal |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 80 ns |
Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 12 ns |
Breet: | 9,65 mm |
Eenheetsgewiicht: | 0,139332 Unzen |
• TrenchFET® Power MOSFET