VNS1NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produit Kategorie: | Gate Chauffeuren |
| Produit: | MOSFET Gate Treiber |
| Typ: | Niddereg Säit |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SOIC-8 |
| Zuel vun de Chauffeuren: | 2 Chauffeur |
| Zuel vun Ausgänge: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstroum: | 1,7 A |
| Versuergungsspannung - Max: | 24 V |
| Rise Time: | 5 00ns |
| Hierscht Zäit: | 6 00ns |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -40 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E Ubidder |
| Qualifikatioun: | AEC-Q100 |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Feuchtigkeitempfindlech: | Jo |
| Operatioun Versuergung aktuell: | 150 uA |
| Produit Typ: | Gate Chauffeuren |
| Factory Pack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | PMIC - Power Management ICs |
| Technologie: | Si |
| Eenheet Gewiicht: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II voll autoprotected Power MOSFET
De VNS1NV04DP-E ass en Apparat geformt vun zwee monolithesche OMNIFET II Chips, déi an engem Standard SO-8 Package ënnerbruecht sinn.D'OMNIFET II sinn an STMicroelectronics VIPower ™ M0-3 Technologie entworf: si sinn fir Ersatz vun Standard Power MOSFETs vun DC bis 50KHz Uwendungen geduecht.Gebaut an thermesch Ausschaltung, linear Stroumbegrenzung an Iwwerspannungsklemm schützt den Chip an haarden Ëmfeld.
Feeler Feedback kann erkannt ginn andeems d'Spannung um Input Pin iwwerwaacht gëtt.
• Linearer Stroumbegrenzung
• Thermesch Ausschaltung
• Kuerzschlussschutz
• Integréiert Clamp
• Niddereg aktuell aus Input PIN gezunn
• Diagnostice Feedback duerch Input PIN
• ESD Schutz
• Direkten Zougang zum Paart vum Power Mosfet (analog Fuert)
• Kompatibel mat Standard Muecht Mosfet
• Entspriechend der europäescher Direktiv 2002/95/EC
