VNS1NV04DPTR-E Gate Driver OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | Gate Chauffeuren |
| Produkt: | MOSFET Gate Treiber |
| Typ: | Niddreg Säit |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | SOIC-8 |
| Zuel vun de Chauffeuren: | 2 Chauffer |
| Zuel vun den Ausgaben: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstroum: | 1,7 A |
| Versuergungsspannung - Max: | 24 Volt |
| Opstiegszäit: | 500 ns |
| Hierschtzäit: | 600 ns |
| Minimal Betribstemperatur: | - 40°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E |
| Qualifikatioun: | AEC-Q100 |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | STMicroelectronics |
| Fiichtegkeetsempfindlech: | Jo |
| Betribsstroum: | 150 µA |
| Produkttyp: | Gate Chauffeuren |
| Fabréckspack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | PMIC - Energieverwaltungs-ICs |
| Technologie: | Si |
| Eenheetsgewiicht: | 0,005291 Unzen |
♠ OMNIFET II voll automatesch geschützt Power MOSFET
Den VNS1NV04DP-E ass en Apparat, deen aus zwéi monolithesche OMNIFET II Chips besteet, déi an engem Standard SO-8 Gehäuse ënnerbruecht sinn. Den OMNIFET II ass an der STMicroelectronics VIPower™ M0-3 Technologie entwéckelt: si sinn fir den Ersatz vu Standard Power MOSFETs vun DC bis zu 50KHz Uwendungen geduecht. Den agebauten thermesche Shutdown, d'linear Stroumbegrenzung an d'Iwwerspannungsklemme schützen de Chip a rauen Ëmfeldbedingungen.
Fehlerfeedback kann duerch d'Iwwerwaachung vun der Spannung um Input-Pin erkannt ginn.
• Linear Stroumbegrenzung
• Thermesch Ausschaltung
• Kuerzschlussschutz
• Integréiert Klammer
• Niddreg Stroum vum Input Pin gezunn
• Diagnostescht Feedback iwwer Input Pin
• ESD-Schutz
• Direkten Zougang zum Gate vum Power-Mosfet (Analog-Undriff)
• Kompatibel mat Standard-Power-Mosfet
• Am Aklang mat der europäescher Direktiv 2002/95/EG
