VNS3NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produit Kategorie: | Gate Chauffeuren |
| RoHS: | Detailer |
| Produit: | MOSFET Gate Treiber |
| Typ: | Niddereg Säit |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SOIC-8 |
| Zuel vun de Chauffeuren: | 2 Chauffeur |
| Zuel vun Ausgänge: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstroum: | 5 A |
| Versuergungsspannung - Max: | 24 V |
| Rise Time: | 250 ns |
| Hierscht Zäit: | 250 ns |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -40 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E Ubidder |
| Qualifikatioun: | AEC-Q100 |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Feuchtigkeitempfindlech: | Jo |
| Operatioun Versuergung aktuell: | 100 uA |
| Produit Typ: | Gate Chauffeuren |
| Factory Pack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | PMIC - Power Management ICs |
| Technologie: | Si |
| Eenheet Gewiicht: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II voll autoprotected Power MOSFET
De VNS3NV04DP-E Apparat besteet aus zwee monolithesche Chips (OMNIFET II) an engem Standard SO-8 Package ënnerbruecht.Den OMNIFET II ass entwéckelt mat STMicroelectronics ™ VIPower ™ M0-3 Technologie an ass geduecht fir Ersatz vu Standard Power MOSFETs a bis zu 50 kHz DC Uwendungen.
Built-in thermesch Ausschaltung, linear Stroumbegrenzung an Iwwerspannungsklemm schützen den Chip an haarden Ëmfeld.
Feeler Feedback kann duerch Iwwerwachung Volt um Input PIN entdeckt ginn
■ ECOPACK®: Bleiffräi a RoHS-kompatibel
■ Automotive Grad: Konformitéit mat AEC Richtlinnen
■ Linear Stroumbegrenzung
■ Thermesch Ausschaltung
■ Kuerzschlussschutz
■ Integréiert Klemm
■ Niddereg Stroum aus Input Pin
■ Diagnostice Feedback duerch Input Pin
■ ESD Schutz
■ Direkten Zougang zum Paart vum Power MOSFET (analog Fuert)
■ Kompatibel mat Standard Power MOSFET
