VNS3NV04DPTR-E Gate Driver OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | Gate Chauffeuren |
| RoHS: | Detailer |
| Produkt: | MOSFET Gate Treiber |
| Typ: | Niddreg Säit |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | SOIC-8 |
| Zuel vun de Chauffeuren: | 2 Chauffer |
| Zuel vun den Ausgaben: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstroum: | 5 A |
| Versuergungsspannung - Max: | 24 Volt |
| Opstiegszäit: | 250 ns |
| Hierschtzäit: | 250 ns |
| Minimal Betribstemperatur: | - 40°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Qualifikatioun: | AEC-Q100 |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | STMicroelectronics |
| Fiichtegkeetsempfindlech: | Jo |
| Betribsstroum: | 100 µA |
| Produkttyp: | Gate Chauffeuren |
| Fabréckspack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | PMIC - Energieverwaltungs-ICs |
| Technologie: | Si |
| Eenheetsgewiicht: | 0,005291 Unzen |
♠ OMNIFET II voll automatesch geschützt Power MOSFET
Den VNS3NV04DP-E-Apparat besteet aus zwéi monolithesche Chips (OMNIFET II), déi an engem Standard SO-8-Gehäuse ënnerbruecht sinn. Den OMNIFET II ass mat der STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 Technologie entwéckelt ginn an ass fir den Ersatz vu Standard-Power-MOSFETs an Uwendungen bis zu 50 kHz DC geduecht.
Agebaute thermesche Schaltung, linear Stroumbegrenzung an Iwwerspannungsklemme schützen de Chip a rauen Ëmfeld.
Fehlerfeedback kann duerch d'Iwwerwaachung vun der Spannung um Input-Pin erkannt ginn
■ ECOPACK®: bleifräi a RoHS-konform
■ Automotive Grade: Konformitéit mat den AEC-Richtlinnen
■ Linear Stroumbegrenzung
■ Thermesch Ausschaltung
■ Kuerzschlussschutz
■ Integréiert Klammer
■ Niddreg Stroum vum Input Pin ofgezunn
■ Diagnostescht Feedback iwwer Input Pin
■ ESD-Schutz
■ Direkten Zougang zum Gate vum Power MOSFET (analogen Undriff)
■ Kompatibel mat Standard-Power-MOSFET
