FGH40T120SMD-F155 IGBT Transistoren 1200V 40A Feldstopp Trench IGBT
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | IGBT-Transistoren |
Technologie: | Si |
Pak / Këscht: | TO-247G03-3 |
Montagestil: | Duerchgängeg Lach |
Konfiguratioun: | Eenzel |
Kollektor-Emitter Spannung VCEO Max: | 1200 Volt |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: | 2 V |
Maximal Gate-Emitterspannung: | 25 Volt |
Kontinuéierleche Kollektorstroum bei 25 °C: | 80 A |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 555 W |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
Serie: | FGH40T120SMD |
Verpackung: | Réier |
Mark: | onsemi / Fairchild |
Kontinuéierleche Kollektorstroum Ic Max: | 40 A |
Gate-Emitter Leckstroum: | 400 nA |
Produkttyp: | IGBT-Transistoren |
Fabréckspack Quantitéit: | 30 |
Ënnerkategorie: | IGBTs |
Deel # Aliasen: | FGH40T120SMD_F155 |
Eenheetsgewiicht: | 0,225401 Unzen |
♠ IGBT - Feldstopp, Trench 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Mat der innovativer Field-Stop-Trench-IGBT-Technologie bitt déi nei Serie vu Field-Stop-Trench-IGBTs vun ON Semiconductor déi optimal Leeschtung fir Hard-Switching-Applikatiounen wéi Solarwechselrichter, UPS, Schweißgeräter an PFC-Applikatiounen.
• FS Trench Technologie, positiven Temperaturkoeffizient
• Schaltung mat héijer Geschwindegkeet
• Niddreg Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100% vun den Deeler goufen op ILM(1) getest
• Héich Inputimpedanz
• Dës Apparater si Pb−fräi a RoHS-konform
• Solarinverter, Schweissgeräter, UPS & PFC Uwendungen