SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistor Polaritéit: | P-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 2 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 14 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 2,5 V |
| Qg - Gate Charge: | 50 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 56 W fir |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguratioun: | Dual |
| Hierscht Zäit: | 28 ns |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Rise Time: | 12 ns |
| Serie: | SQ |
| Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 2 P-Kanal |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 39 ns |
| Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 12 ns |
| Deel # Aliasen: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Eenheet Gewiicht: | 0,017870 oz |
• Halogen-gratis No IEC 61249-2-21 Definitioun
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Qualifizéiert
• 100% Rg an UIS getest
• entspriechend RoHS Direktiv 2002/95/EC
