FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Serie
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | onsem |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | Duerch Hole |
| Package / Fall: | TO-251-3 |
| Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1,9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 4,7 ohm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 2 V |
| Qg - Gate Charge: | 12 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2,5 W |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Verpakung: | Tube |
| Marke: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguratioun: | Single |
| Hierscht Zäit: | 28 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Héicht: | 6,3 mm |
| Längt: | 6,8 mm |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns |
| Serie: | FQU2N60C |
| Factory Pack Quantitéit: | 5040 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 1 N-Kanal |
| Typ: | MOSFET |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 24 ns |
| Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 9 ns vun |
| Breet: | 2,5 mm |
| Eenheet Gewiicht: | 0.011993 oz |
♠ MOSFET – N-Kanal, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Dësen N-Kanal Verbesserungsmodus Kraaft MOSFET gëtt mat der propriétaire Planar Sträif an DMOS Technologie vun onsei produzéiert.Dës fortgeschratt MOSFET Technologie gouf speziell ugepasst fir On-State Resistenz ze reduzéieren an eng super Schaltleistung an héich Lawinenenergiekraaft ze bidden.Dës Geräter si gëeegent fir Schaltmodus Energieversuergung, aktive Kraaftfaktorkorrektur (PFC) an elektronesch Lampeballaster.
• 1,9 A, 600 V, RDS(an) = 4,7 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Low Gate Charge (Typ. 8,5 nC)
• Low Crss (Typ. 4,3 pF)
• 100% Avalanche getest
• Dës Apparater sinn Halid Free a sinn RoHS kompatibel
