FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Kanal Adv Q-FET C-Serie
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | Duerchgängeg Lach |
| Pak / Këscht: | TO-251-3 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 600 V |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 1,9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 4,7 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 2 V |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 2,5 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Verpackung: | Réier |
| Mark: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 28 ns |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 5 S. |
| Héicht: | 6,3 mm |
| Längt: | 6,8 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 25 ns |
| Serie: | FQU2N60C |
| Fabréckspack Quantitéit: | 5040 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typ: | MOSFET |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 24 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 9 ns |
| Breet: | 2,5 mm |
| Eenheetsgewiicht: | 0,011993 Unzen |
♠ MOSFET – N-Kanal, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Dësen N-Kanal-Enhancement-Modus-Power-MOSFET gëtt mat der proprietärer Planar-Stripe- an DMOS-Technologie vun onsemi produzéiert. Dës fortgeschratt MOSFET-Technologie gouf speziell ugepasst fir den On-State-Widderstand ze reduzéieren an eng iwwerleeën Schaltleistung an eng héich Lawinenenergiefestigkeit ze bidden. Dës Geräter si gëeegent fir Schaltmodus-Stroumversuergungen, aktiv Leeschtungsfaktorkorrektur (PFC) an elektronesch Lampenvirschléi.
• 1,9 A, 600 V, RDS(un) = 4,7 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Niddreg Gate-Ladung (Typ. 8,5 nC)
• Niddreg CSS (Typ. 4,3 pF)
• 100% Lawinengetest
• Dës Apparater sinn halidfräi a RoHS-konform
