IKW50N65ES5XKSA1 IGBT Transistoren INDUSTRIE 14
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | Infineon |
| Produit Kategorie: | IGBT Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Package / Fall: | TO-247-3 |
| Montage Stil: | Duerch Hole |
| Konfiguratioun: | Single |
| Collector-Emitter Volt VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Volt: | 1,35 V |
| Maximal Gate Emitter Volt: | 20 V |
| Kontinuéierlech Sammelstroum bei 25 C: | 80 A |
| Pd - Power Dissipation: | 274 W |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -40 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +175 C |
| Serie: | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Verpakung: | Tube |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Gate-Emitter Leckstrom: | 100 nA |
| Héicht: | 20,7 mm |
| Längt: | 15,87 mm |
| Produit Typ: | IGBT Transistoren |
| Factory Pack Quantitéit: | 240 |
| Ënnerkategorie: | IGBTs |
| Handelsnumm: | TRENCHSTOP |
| Breet: | 5,31 mm |
| Deel # Aliasen: | IKW50N65ES5 SP001319682 |
| Eenheet Gewiicht: | 0,213537 oz |
Highspeed S5 Technologie Offer
•Highspeedsmoothswitching Device forhard & softswitching
•VeryLowVCEsat,1.35Vatnominalstrom
•PlugandPlay Ersatz vu fréierer Generatioun IGBTs
•650V breakdownvoltage
• LowgatechargeQG
•IGBT copackedwithfullratedRAPID1fastantiparalleldiode
•Maximalverbindungstemperatur175°C
•Qualifizéiert no JEDEC fir Zilanwendungen
•Pb-freeleadplating; RoHS-kompatibel
• Komplett Produktspektrum aPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Resonanzkonverter
• Uninterruptible powersupplies
•Schweißkonverter
•Mëtt-to-Héichrangschalten Frequenzkonverter
