IKW50N65ES5XKSA1 IGBT Transistoren INDUSTRIE 14

Kuerz Beschreiwung:

Hiersteller: Infineon Technologies
Produit Kategorie: Transistoren - IGBTs - Single
Informatiounsblat:IKW50N65ES5XKSA1
Beschreiwung: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
RoHS Status: RoHS kompatibel


Produit Detailer

Eegeschaften

Uwendungen

Produit Tags

♠ Produktbeschreiwung

Produit Attributer Attribut Wäert
Hersteller: Infineon
Produit Kategorie: IGBT Transistoren
Technologie: Si
Package / Fall: TO-247-3
Montage Stil: Duerch Hole
Konfiguratioun: Single
Collector-Emitter Volt VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Volt: 1,35 V
Maximal Gate Emitter Volt: 20 V
Kontinuéierlech Sammelstroum bei 25 C: 80 A
Pd - Power Dissipation: 274 W
Minimum Operatioun Temperatur: -40 C
Maximal Operatioun Temperatur: +175 C
Serie: TRENCHSTOP 5 S5
Verpakung: Tube
Marke: Infineon Technologies
Gate-Emitter Leckstrom: 100 nA
Héicht: 20,7 mm
Längt: 15,87 mm
Produit Typ: IGBT Transistoren
Factory Pack Quantitéit: 240
Ënnerkategorie: IGBTs
Handelsnumm: TRENCHSTOP
Breet: 5,31 mm
Deel # Aliasen: IKW50N65ES5 SP001319682
Eenheet Gewiicht: 0,213537 oz

 


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    •650V breakdownvoltage
    • LowgatechargeQG
    •IGBT copackedwithfullratedRAPID1fastantiparalleldiode
    •Maximalverbindungstemperatur175°C
    •Qualifizéiert no JEDEC fir Zilanwendungen
    •Pb-freeleadplating; RoHS-kompatibel
    • Komplett Produktspektrum aPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/

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