IPC70N04S5L4R2ATMA1 MOSFET MOSFET_(20V,40V)
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | Infineon |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | TDSON-8 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 40 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 3,4 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 1,2 V |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 50 Watt |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
| Handelsnumm: | OptiMOS |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | Infineon Technologies |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 6 ns |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 2 ns |
| Serie: | N-Kanal |
| Fabréckspack Quantitéit: | 5000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 11 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 3 ns |
| Deel # Aliasen: | IPC70N04S5L-4R2 SP001418126 |
| Eenheetsgewiicht: | 0,003927 Unzen |
• OptiMOS™ – Power-MOSFET fir Automobilanwendungen
• N-Kanal – Verbesserungsmodus – Logikniveau
• AEC Q101 qualifizéiert
• MSL1 bis zu 260°C Peak-Reflow
• Betribstemperatur vun 175°C
• Gréngt Produkt (RoHS-konform)
• 100% Lawinengetest
