IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Kuerz Beschreiwung:

Hiersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Informatiounsblat:Spezifikatioune vun IXFA22N65X2
Beschreiwung: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
RoHS Status: RoHS kompatibel

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

♠ Produktbeschreiwung

Produit Attributer	Attribut Wäert
Hersteller:	IXYS
Produit Kategorie:	MOSFET
Technologie:	Si
Montage Stil:	SMD/SMT
Package / Fall:	TO-263-3
Transistor Polaritéit:	N-Kanal
Zuel vun Channels:	1 Kanal
Vds - Drain-Source Breakdown Volt:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	22 A
Rds On - Drain-Source Resistenz:	160 mOhm
Vgs - Gate-Source Volt:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt:	2,7 V
Qg - Gate Charge:	38 nc
Minimum Operatioun Temperatur:	-55 C
Maximal Operatioun Temperatur:	+150 C
Pd - Power Dissipation:	360 W
Kanal Modus:	Erhéijung
Handelsnumm:	HiPerFET
Verpakung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguratioun:	Single
Hierscht Zäit:	10 ns
Forward Transconductance - Min:	8 S
Produit Typ:	MOSFET
Rise Time:	35 ns
Serie:	650V Ultra Junction X2
Factory Pack Quantitéit:	50
Ënnerkategorie:	MOSFETs
Typesch Ausschaltverzögerungszäit:	33 ns
Typesch Turn-On Verzögerungszäit:	38 ns
Eenheet Gewiicht:	0,139332 oz