IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | IXYS |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | TO-263-3 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 650 V |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 22 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 160 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 2,7 V |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 360 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | HiPerFET |
| Verpackung: | Réier |
| Mark: | IXYS |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 10 ns |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 8 S. |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 35 ns |
| Serie: | 650V Ultra Junction X2 |
| Fabréckspack Quantitéit: | 50 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 33 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 38 ns |
| Eenheetsgewiicht: | 0,139332 Unzen |
