MMBT3904TT1G Bipolartransistoren – BJT 200mA 40V NPN
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
RoHS: | Detailer |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | SC-75-3 |
Transistorpolaritéit: | NPN |
Konfiguratioun: | Eenzel |
Kollektor-Emitter Spannung VCEO Max: | 40 Volt |
Kollektor-Basisspannung VCBO: | 60 Volt |
Emitter- Basisspannung VEBO: | 6 Volt |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: | 300 mV |
Maximalen DC-Kollektivstroum: | 200 mA |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 225 mW |
Gewënnbandbreetprodukt fT: | 300 MHz |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 150°C |
Serie: | MMBT3904T |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | onsemi |
Kontinuéierleche Kollektorstroum: | 0,2 A |
Gläichstroumkollektor/Basisgewënn hfe Min: | 40 |
Héicht: | 0,75 mm |
Längt: | 1,6 mm |
Produkttyp: | BJTs - Bipolare Transistoren |
Fabréckspack Quantitéit: | 3000 |
Ënnerkategorie: | Transistoren |
Technologie: | Si |
Breet: | 0,8 mm |
Eenheetsgewiicht: | 0,000089 Unzen |
• S-Prefix fir Automobil- an aner Uwendungen, déi eenzegaarteg Ufuerderunge fir d'Ännerung vum Standuert an d'Kontroll erfuerderen; AEC-Q101 qualifizéiert a PPAP-fäeg
• Dës Apparater si fräi vu Pb−, Halogenfräi/BFR−fräi a RoHS−konform*