SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | TO-263-3 |
| Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 3,2 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 2 V |
| Qg - Gate Charge: | 60 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Marke: | Vishay / Siliconix |
| Konfiguratioun: | Single |
| Hierscht Zäit: | 7 ns vun |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Rise Time: | 7 ns vun |
| Serie: | SQ |
| Factory Pack Quantitéit: | 800 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 33 ns |
| Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 15 ns |
| Eenheet Gewiicht: | 0,139332 oz |
• TrenchFET® Muecht MOSFET
• Package mat niddereg thermesch Resistenz
• 100% Rg an UIS getest
• AEC-Q101 qualifizéiert
