MUN5113DW1T1G Bipolare Transistoren - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
♠ Produktbeschreiwung
Produit Attributer | Attribut Wäert |
Hersteller: | onsem |
Produit Kategorie: | Bipolare Transistoren - Pre-biaséiert |
RoHS: | Detailer |
Konfiguratioun: | Dual |
Transistor Polaritéit: | PNP |
Typesch Input Resistor: | 47 kOhm |
Typesch Resistor Verhältnis: | 1 |
Montage Stil: | SMD/SMT |
Package / Fall: | SOT-363(PB-gratis)-6 |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
Collector-Emitter Volt VCEO Max: | 50 V |
Kontinuéierlech Sammelstroum: | - 100 mA |
Peak DC Collector Aktuell: | 100 mA |
Pd - Power Dissipation: | 256 mW |
Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
Serie: | MUN5113DW1 |
Verpakung: | Reel |
Verpakung: | Tape schneiden |
Verpakung: | MouseReel |
Marke: | onsem |
DC Stroumverstärkung hFE Max: | 80 |
Héicht: | 0,9 mm |
Längt: | 2 mm |
Produit Typ: | BJTs - Bipolare Transistoren - Pre-biaséiert |
Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
Ënnerkategorie: | Transistoren |
Breet: | 1,25 mm |
Eenheet Gewiicht: | 0.000212 oz |
♠ Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 47k, R2 = 47k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
Dës Serie vun digitalen Transistoren ass entwéckelt fir en eenzegen Apparat a säin externe Widderstandsbiasnetz ze ersetzen.De Bias Resistor Transistor (BRT) enthält een eenzegen Transistor mat engem monolithesche Biasnetz, deen aus zwee Widderstänn besteet;e Seriebasisresistor an e Base-Emitterwiderstand.De BRT eliminéiert dës individuell Komponenten andeems se se an engem eenzegen Apparat integréiert.D'Benotzung vun engem BRT kann souwuel System Käschten an Verwaltungsrot Raum reduzéieren.
• Vereinfacht Circuit Design
• Reduzéiert Verwaltungsrot Space
• Reduzéiert Komponent Grof
• S an NSV Präfix fir Automotive an aner Applikatiounen erfuerdert eenzegaarteg Site a Kontroll Change Requirements;AEC-Q101 Qualifizéiert a PPAP kapabel *
• Dës Geräter sinn Pb−Free, Halogen Free/BFR Free a si RoHS-konform