NVTFS5116PLTWG MOSFET Single P-Channel 60V, 14A, 52 Mohm
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | onsem |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | WDFN-8 |
| Transistor Polaritéit: | P-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 52 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 3 V |
| Qg - Gate Charge: | 25 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 21 W |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | onsem |
| Konfiguratioun: | Single |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Serie: | NVTFS5116PL Ubidder |
| Factory Pack Quantitéit: | 5000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 1 P-Kanal |
| Eenheet Gewiicht: | 0.001043 oz |
• Klenge Foussofdrock (3,3 x 3,3 mm) fir Kompakt Design
• Niddereg RDS (an) fir d'Konduktiounsverloschter ze minimiséieren
• Niddereg Kapazitéit fir Chaufferverloschter ze minimiséieren
• NVTFS5116PLWF - Wettable Flanke Produit
• AEC-Q101 Qualifizéiert a PPAP Capable
• Dës Apparater sinn Pb-Free a sinn RoHS-kompatibel
