NVTFS5116PLTWG MOSFET Eenzel-P-Kanal 60V, 14A, 52mohm
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | WDFN-8 |
| Transistorpolaritéit: | P-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 52 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 3 V |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 21 W |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
| Verpackung: | Roll |
| Verpackung: | Band schneiden |
| Verpackung: | Mausreel |
| Mark: | onsemi |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Virwärtstranskonduktanz - Min: | 11 Sonndes |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | NVTFS5116PL |
| Fabréckspack Quantitéit: | 5000 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Eenheetsgewiicht: | 0,001043 Unzen |
• Kleng Gréisst (3,3 x 3,3 mm) fir e kompakten Design
• Niddreg RDS(on) fir Konduktiounsverloschter ze minimiséieren
• Niddreg Kapazitéit fir Treiberverloschter ze minimiséieren
• NVTFS5116PLWF − Benetzbar Flanken Produkt
• AEC−Q101 qualifizéiert a PPAP-fäeg
• Dës Apparater si Pb−fräi a RoHS-konform
