SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
♠ Produktbeschreiwung
| Produit Attributer | Attribut Wäert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produit Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SOIC-8 |
| Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun Channels: | 2 Kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5,3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 58 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 13 nc |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 3,1 W |
| Kanal Modus: | Erhéijung |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Verpakung: | Reel |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguratioun: | Dual |
| Hierscht Zäit: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Produit Typ: | MOSFET |
| Rise Time: | 15 ns, 65 ns |
| Serie: | SI9 |
| Factory Pack Quantitéit: | 2500 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Typ: | 2 N-Kanal |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 10 ns, 15 ns |
| Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 15 ns, 20 ns |
| Deel # Aliasen: | SI9945BDY-GE3 |
| Eenheet Gewiicht: | 750 mg |
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