SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Duebel-P-Kanal 30V AEC-Q101 Qualifizéiert
♠ Produktbeschreiwung
Produktattribut | Attributwäert |
Hiersteller: | Vishay |
Produktkategorie: | MOSFET |
Technologie: | Si |
Montagestil: | SMD/SMT |
Pak / Këscht: | PowerPAK-SO-8-4 |
Transistorpolaritéit: | P-Kanal |
Zuel vun de Kanäl: | 2 Kanäl |
Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 30 Volt |
Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 30 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 14 mOhm |
Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 2,5 V |
Qg - Gate Charge: | 50 nC |
Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
Pd - Leeschtungsverloscht: | 56 Watt |
Kanalmodus: | Verbesserung |
Qualifikatioun: | AEC-Q101 |
Handelsnumm: | TrenchFET |
Verpackung: | Roll |
Verpackung: | Band schneiden |
Verpackung: | Mausreel |
Mark: | Vishay Semiconductors |
Konfiguratioun: | Duebel |
Hierschtzäit: | 28 ns |
Produkttyp: | MOSFET |
Opstiegszäit: | 12 ns |
Serie: | SQ |
Fabréckspack Quantitéit: | 3000 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 2 P-Kanal |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 39 ns |
Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 12 ns |
Deel # Aliasen: | SQJ951EP-T1_BE3 |
Eenheetsgewiicht: | 0,017870 Unzen |
• Halogenfräi no der Definitioun vun IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Qualifizéiert
• 100 % Rg an UIS getest
• Entsprécht der RoHS-Direktiv 2002/95/EG