W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | Winbond |
| Produktkategorie: | DRAM |
| RoHS: | Detailer |
| Typ: | SDRAM |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak/Këscht: | TSOP-54 |
| Datenbusbreet: | 16-Bit |
| Organisatioun: | 4 M x 16 |
| Gréisst vum Speicher: | 64 Mbit |
| Maximal Taktfrequenz: | 166 MHz |
| Zougangszäit: | 6 ns |
| Versuergungsspannung - Max: | 3,6 V |
| Versuergungsspannung - Min: | 3 V |
| Versuergungsstroum - Max: | 50 mA |
| Minimal Betribstemperatur: | 0 Grad Celsius |
| Maximal Betribstemperatur: | + 70°C |
| Serie: | W9864G6KH |
| Mark: | Winbond |
| Fiichtegkeetsempfindlech: | Jo |
| Produkttyp: | DRAM |
| Fabréckspack Quantitéit: | 540 |
| Ënnerkategorie: | Speicher & Datenspeicher |
| Eenheetsgewiicht: | 9,175 g |
♠ 1M ✖ 4 BANKE ✖ 16 BITS SDRAM
De W9864G6KH ass en High-Speed-Synchron-Dynamic Random Access Memory (SDRAM), organiséiert als 1M Wierder 4 Banken 16 Bits. De W9864G6KH liwwert eng Datenbandbreet vu bis zu 200M Wierder pro Sekonn. Fir verschidden Uwendungen ass de W9864G6KH an déi folgend Geschwindegkeetsgraden opgedeelt: -5, -6, -6I an -7. Déi -5 Grad Deeler kënne bis zu 200MHz/CL3 lafen. Déi -6 an -6I Grad Deeler kënne bis zu 166MHz/CL3 lafen (déi -6I Industriegrad, déi garantéiert -40°C ~ 85°C ënnerstëtzt). Déi -7 Grad Deeler kënne bis zu 143MHz/CL3 lafen a mat tRP = 18nS.
Den Zougang zum SDRAM ass burstorientéiert. Op hannereneen Späicherplazen op enger Säit kann mat enger Burstlängt vun 1, 2, 4, 8 oder enger ganzer Säit zougegraff ginn, wann eng Bank an eng Zeil duerch en ACTIVE Kommando ausgewielt ginn. Kolonnenadressen ginn automatesch vum internen SDRAM-Zähler am Burst-Betrib generéiert. Zoufälleg Kolonnenliesung ass och méiglech, andeems hir Adress bei all Taktzyklus uginn gëtt.
Déi méi Banken-Natur erméiglecht d'Interleaving tëscht internen Banken, fir d'Viropluedzäit ze verstoppen. Duerch e programméierbare Modusregister kann de System d'Burstlängt, den Latenzzyklus, den Interleave oder de sequenziellen Burst änneren, fir seng Leeschtung ze maximéieren. De W9864G6KH ass ideal fir den Haaptspeicher an Héichleistungsapplikatiounen.
• 3,3V ± 0,3V fir Stroumversuergung mat Geschwindegkeetsgraden -5, -6 an -6I
• 2,7V~3,6V fir Stroumversuergung mat Geschwindegkeetsgraden -7
• Bis zu 200 MHz Taktfrequenz
• 1.048.576 Wierder
• 4 Banken
• 16-Bit-Organisatioun
• Selbsterfrëschungsstroum: Standard a geréng Leeschtung
• CAS Latenz: 2 an 3
• Burstlängt: 1, 2, 4, 8 a ganz Säit
• Sequentiell an Interleave Burst
• Bytedaten, déi vun LDQM, UDQM kontrolléiert ginn
• Automatesch Virluedung a kontrolléiert Virluedung
• Burst Liesen, Eenzel Schreifmodus
• 4K Erfrëschungszyklen/64 mS
• Schnittstell: LVTTL
• Verpackt an TSOP II 54-Pin, 400 mil aus bleifräie Materialien mat RoHS-konformitéit
