SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Produktbeschreiwung
Produit Attributer | Attribut Wäert |
Hersteller: | Vishay |
Produit Kategorie: | MOSFET |
RoHS: | Detailer |
Technologie: | Si |
Montage Stil: | SMD/SMT |
Package / Fall: | TO-263-3 |
Transistor Polaritéit: | N-Kanal |
Zuel vun Channels: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Volt: | 60 V |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Rds On - Drain-Source Resistenz: | 3,2 mOhm |
Vgs - Gate-Source Volt: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Volt: | 2 V |
Qg - Gate Charge: | 60 nc |
Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
Maximal Operatioun Temperatur: | +175 C |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Kanal Modus: | Erhéijung |
Handelsnumm: | TrenchFET |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Konfiguratioun: | Single |
Hierscht Zäit: | 7 ns vun |
Produit Typ: | MOSFET |
Rise Time: | 7 ns vun |
Serie: | SQ |
Factory Pack Quantitéit: | 800 |
Ënnerkategorie: | MOSFETs |
Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 33 ns |
Typesch Turn-On Verzögerungszäit: | 15 ns |
Eenheet Gewiicht: | 0,139332 oz |
• TrenchFET® Muecht MOSFET
• Package mat niddereg thermesch Resistenz
• 100% Rg an UIS getest
• AEC-Q101 qualifizéiert