SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Produktbeschreiwung
| Produktattribut | Attributwäert |
| Hiersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Detailer |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Pak / Këscht: | TO-263-3 |
| Transistorpolaritéit: | N-Kanal |
| Zuel vun de Kanäl: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source Duerchschlagspannung: | 60 Volt |
| Id - Kontinuéierlechen Drain-Stroum: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistenz: | 3,2 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Schwellspannung: | 2 V |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Minimal Betribstemperatur: | - 55°C |
| Maximal Betribstemperatur: | + 175°C |
| Pd - Leeschtungsverloscht: | 150 Watt |
| Kanalmodus: | Verbesserung |
| Handelsnumm: | TrenchFET |
| Mark: | Vishay / Siliconix |
| Konfiguratioun: | Eenzel |
| Hierschtzäit: | 7 ns |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Opstiegszäit: | 7 ns |
| Serie: | SQ |
| Fabréckspack Quantitéit: | 800 |
| Ënnerkategorie: | MOSFETs |
| Typesch Ausschaltverzögerungszäit: | 33 ns |
| Typesch Aschaltverzögerungszäit: | 15 ns |
| Eenheetsgewiicht: | 0,139332 Unzen |
• TrenchFET® Power MOSFET
• Pak mat nidderegem thermesche Widderstand
• 100 % Rg an UIS getest
• AEC-Q101 qualifizéiert
